Shephard
Так, люди, есть MicroCap 8 full
Есть необходимость в Микрокапе фулл. Спасибо!

Гляньте, что бывает. Интересно! Моделируешь устройство, а потом можно заказать набор для сборки, включающий детали и печатку!

MicroCAP-8 full (точнее, подлеченный и русифицированый евалюэйт) вместе с кратким русским описанием лежит на http://guapsoft.spb.ru/mc8/setup.exe
Английская версия исполняемого модуля (работает более корректоно, чем русифицироанная) - http://www.microcap-model.narod.ru/mc8.rar
Там же на http://www.microcap-model.narod.ru много чего про микросар 7 и 8 версий

Привет, народ! Поделитесь опытом работы в EWB 5.12, пожалуйста...Почему при изменении параметров какого-либо элемента(диода, например) записывать числа с плавающей точкой можно только так(0.00005)?
При записи такого вида(1е-05), программа выдает "Invalid number"! Как быть? Мне нужно записать число 2.25е-13, а в поле помещается только 9 символов(0.0000225)=2.25е-05 и значение далеко не то...Подскажите!!!

Много интересного софта можно нарыть на ELECTRONIX.ru,кое-что есть на торренте (www.torrents.ru), ну а дистрибутив Micro-Cap уже переведенный на русский язык,с библиотеками некоторых элементов и рускоязычным мануалом шатается где-то по сети :) Воспользуйтесь поиском...

Добавлю свои 5 копеек:
- Для цифровых схем, самое удобное что видел - это Proteus. Есть контроллеры, ЖК-экраны, динамики и пр, все это реально работает. Тут же законченную схему можно развести. Но аналоговая часть сделана не очень, часть моделей просто не работает (например так и не запустились довольно много схем с кварцевыми резонаторами), плюс "осциллограф" там просто отвратный и глючный.
- Для аналоговых схем очень удобен SWCad. Интерфейс в начале кажется неудобным, зато выводимые данные - просто супер. Графики с любым масштабированием и цветами, вывод напряжений, токов, мощности и пр. Минус программы - набор библиотек компонентов довольно небольшой.
- Для антенн - MMana, тут альтернатив вроде и нет.

"Минус программы - набор библиотек компонентов довольно небольшой."

Для LTC SwitcherCad (SWCad) родной язык библиотек компонентов - это SPICE. А практически все производители размещают библиотеки со своими компонентами в открытом доступе. Скачиваете, размещаете в /lib, добавляете команду .lib или .include , и, собственно, все... По сравнению с распространенным здесь "леченным" Electronics Workbench 5.12 SWCad полностью работоспособен (корректный численный счет до 3-5 ГГц!), там высококачественное мат.ядро (опять-таки наследство SPICE...), превосходные возможности визуализации результатов, и самое главное - его результатам Действительно можно верить. Для антенн и электродинамики рекомендую HFSS.

Multisim 10. Для цифровых схем самое оно. В свое время задался целью разработать коммутатор на 32 твердотелки через LPT на мелкой логике. Разработал на бумаге, тестировал именно в Multisim. После сборки в железе, заработало сразу.
P.S. Кстати, с 10 версии можно уже симулировать микроконтроллеры, и прямо в программе для них прошивки писать.

58923ao
Для LTC SwitcherCad (SWCad) родной язык библиотек компонентов - это SPICE. А практически все производители размещают библиотеки со своими компонентами в открытом доступе. Скачиваете, размещаете в /lib, добавляете команду .lib или .include , и, собственно, все... По сравнению с распространенным здесь "леченным" Electronics Workbench 5.12 SWCad полностью работоспособен (корректный численный счет до 3-5 ГГц!), там высококачественное мат.ядро (опять-таки наследство SPICE...),
Дела обстоят не совсем так, как вы говорите. SWCad - самостоятельный программный продукт, разработанный, что называется, по мотивам SPICE, но не на базе. Начинал это всё, по сути, один человек... На уровне синтаксиса описания элементов и схем совместимость сохранена, однако базовая структура моделей была расширена с целью более достоверного моделирования переходных процессов импульсных устройств, а конкретно - высокочастотных преобразователей токов и напряжений (отсюда и название программы). Также было существенно переработано и вычислительное ядро, с целью максимального повышения производительности при моделировании импульсных электронных систем. Оптимизация на уровне моделей и алгоритмов. И всё это ни как не наследие SPICE.
Что касается частотной области, то она не дотягивает до указанных вами 3..5 ГГц, поскольку эта программа использует математические модели сосредоточенных элементов. Для столь высоких частот эти модели, как правило, бесполезны.

D3mB1ts
У меня в окошко Diode properies > Fault вводится всего 7 символов но вашу ситуацию разрешил так: вместо 2.25е-13 ввёл 225е-15 при значке "омы". Для проверки снова открыл окошко, там стояло 0.225 пикаомм. Оставил значёк пикаомм и ввёл 225е-15. Появились ваши заветные 2.25е-13 но уже пикаомм. Проблемм с вводом значений в программе не вижу.

Уважаемый milstd:

1. ", разработанный, что называется, по мотивам SPICE, но не на базе."

Несомненно, я имел в виду именно "мотивы". Про "на базе" - это ваши слова :-). Впрочем, позволю себе цитату: "SwCAD III uses LTspice as its circuit simulation engine. LTspice III is one of many modern derivatives of the SPICE (Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis) program originally....... LTspice is an enhanced SPICE and uses standard SPICE program syntax..."
(первый попавшийся источник, правда, учебный - http://csserver.evansville.edu/~richardson/courses/Tutorials/swcadiii/00_UEComponents/html/00_UEComponents.html
Но есть и множество других! :-))

2. ", однако базовая структура моделей была расширена с целью более достоверного моделирования "
А вот это уже интересно! Что вы понимаете под "расширением базовой структуры" (вопрос не риторический, мне действительно интересно)? Это принципиально новый метод построения моделей вообще, или что-то другое? Или вы имели в виду те "модели", которые самостоятельно придумала и выложила в SWCad'e Linear Technology для "похвастаться"- так это всего лишь subcircuits, "завернутые" паролем (см. встроенный help)!
.............
А движок у SwCAD III (хотя бы "оптимизированный" для импульсных схем) всё так же, по-прежнему, численно решает систему неоднородных нелинейных дифуров ... по крайней мере, для временнОй области (то, что они назвали transient analysis).

3. По поводу частотного диапазона. Очевидно, вы знаете, что некоторые радиотехнические устройства - длинные линии, ...,четырехполюсники, на вч/свч моделируют с использованием т.н. метода эквивалентных схем. Практически все spice-библиотеки свч-транзисторов снабжены моделями в виде подсхемы из сосредоточенных элементов - и они корректно работают до тех ггц, которые написаны у них в datasheets!
Впрочем, мой личный опыт простирается именно на указанную область - были успешно разработаны и моделированы синтезаторы, усилители, корректоры фазы на 1-4 ГГц -с последующей сдачей темы и работающего лаб. образца заказчикам.. здесь весь вопрос уже в Методологии корректного моделирования (но не в применимости swcad'a). Так что, на мой взгляд, утверждать о "бесполезности моделей" в данном случае надо с большой осторожностью.
Цитата напоследок - из spice library for transmission lines:
"* Library of transmission line models and subcircuits

* Copyright OrCAD, Inc. 1998 All Rights Reserved.

* $Revision: 1.16 $
* $Author: RPEREZ $
* $Date: 20 Apr 1998 13:54:20 $

*-----------------------------------------------------------------------------
* Coaxial cable transmission line model parameters
*
* The parameters in this model library were derived from Table 21-3 in
* "Handbook of Electronics Calculations for Engineers and Technicians",
* edited by Kaufman and Seidman, McGraw-Hill, 1988. The table provides
* the velocity of propagation (vp) in %, nominal impedance (z0) in Ohms,
* and a set of attenuations in dB/100 ft for frequencies between 10 MHz
* and 3 GHz. "

58923ao
Несомненно, я имел в виду именно "мотивы". Про "на базе" - это ваши слова :-). Впрочем, позволю себе цитату: "SwCAD III uses LTspice as its circuit simulation engine. LTspice III is one of many modern derivatives of the SPICE (Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis) program originally....... LTspice is an enhanced SPICE and uses standard SPICE program syntax..."

Взято из хелпа декабрьского релиза LTSpice IV:
LTspice is the circuit simulation engine for the SwitcherCAD III. LTspice is a schematic-driven circuit simulation program. The LTspice simulator was originally based years ago on Berkeley SPICE 3F4/5. The simulator has gone through a complete re-write in order to improve the performance of the simulator, fix bugs, and extend the simulator so that it can run industry standard semiconductor and behavioral models.

По поводу 2. ", однако базовая структура моделей была расширена с целью более достоверного моделирования " А вот это уже интересно! Что вы понимаете под "расширением базовой структуры" (вопрос не риторический, мне действительно интересно)?
Оттуда же:
FAQ:/MOSFET Models
What is the difference between SwitcherCAD III MOSFET and standard SPICE MOSFET models?

Besides the standard SPICE MOSFET models, SwitcherCAD III also includes a proprietary MOSFET model that is not implemented in other SPICE programs. It directly encapsulates the charge behavior of the vertical double diffused MOS transistor. This allows a power device to be modeled with an intrinsic VDMOS device LTspice instead of a subcircuit as in other SPICE programs. See models definition for details

То, что это всего лишь subcircuits, "завернутые" паролем (см. встроенный help)! , вовсе не лишает права говорить о новизне моделей, поскольку любая сколь угодно сложная модель есть интеграция простейших элементов, как схемотехнических, так и операций мат. преобразований. Например, различные модели биполярного транзистора.

А движок у SwCAD III (хотя бы "оптимизированный" для импульсных схем) всё так же, по-прежнему, численно решает систему неоднородных нелинейных дифуров ... по крайней мере, для временнОй области (то, что они назвали transient analysis).
Ну, конечно, а что же ему ещё решать?! :)
Как задача формализована, так и решается...


3. По поводу частотного диапазона. Очевидно, вы знаете, что некоторые радиотехнические устройства - длинные линии, ...,четырехполюсники, на вч/свч моделируют с использованием т.н. метода эквивалентных схем. Практически все spice-библиотеки свч-транзисторов снабжены моделями в виде подсхемы из сосредоточенных элементов - и они корректно работают до тех ггц, которые написаны у них в datasheets!
Представьте, что надо смоделировать работу (в частотной/временной области) четырёхполюсника на 2 ГГц. Длина выводов оказывает влияние на работу? Безусловно. А как это отражено в модели, если это вообще технологический момент? Оказывает ли влияние положение компонента по отношению к внешним элементам конструкции? Да, конечно, только в модели это опять не учитывается. Решать задачи на основе сосредоточенных элементов можно, но весьма сомнительно.

milstd:
1. "The LTspice simulator was originally based years ago on Berkeley SPICE 3F4/5."

Так, значит, LTspice simulator - все-таки "на базе" SPICE ? Или "по мотивам SPICE, но не на базе" ? :-)

2."Длина выводов оказывает влияние на работу? Безусловно. А как это отражено в модели, если это вообще технологический момент?"

В модели это принято отражать при помощи характеристики "паразитная индуктивность вывода". Если же речь идет о печатном проводнике между двумя выводами, то при характерных размерах (длинах) менее 1/10 длины волны для соотв. частоты этот проводник вполне заменим на соотв. индуктивность (это рассчитывается).
Пример из Library of Infineon Semiconductors:
*$
.SUBCKT BFR93A/INF 200 100 300
L1 1 10 0.85nH
L2 2 20 0.001nH
L3 3 30 0.69nH
C1 10 20 84fF
C2 20 30 165fF
C3 30 10 73fF
L4 10 100 0.51nH
L5 20 200 0.49nH
L6 30 300 0.61nH
Q1 2 1 3 BFR93A
.ENDS

"Оказывает ли влияние положение компонента по отношению к внешним элементам конструкции? Да, конечно, только в модели это опять не учитывается."

Да, не учитывается. Оцените характерные величины паразитных связей и сопоставьте их с величинами паразитных реактивностей в моделях компонентов...

"Решать задачи на основе сосредоточенных элементов можно, но весьма сомнительно"
Это делают "не от хорошей жизни". Метод эквивалентных схем - это приемлемый компромисс для замены FEM-подхода.

PS Раз заговорили о SWcad - можно ли запустить счет с фиксированным шагом интегрирования?

58923ao
milstd:
1. "The LTspice simulator was originally based years ago on Berkeley SPICE 3F4/5."

Так, значит, LTspice simulator - все-таки "на базе" SPICE ? Или "по мотивам SPICE, но не на базе" ? :-)
По мотивам; прочтите ещё раз второе предложение абзаца: "The simulator has gone through a complete re-write in order to improve the performance of the simulator, fix bugs, and extend the simulator so that it can run industry standard semiconductor and behavioral models. ".

2."Длина выводов оказывает влияние на работу? Безусловно. А как это отражено в модели, если это вообще технологический момент?"

В модели это принято отражать при помощи характеристики "паразитная индуктивность вывода". Если же речь идет о печатном проводнике между двумя выводами, то при характерных размерах (длинах) менее 1/10 длины волны для соотв. частоты этот проводник вполне заменим на соотв. индуктивность (это рассчитывается).
Выводы запаяны - покрыты припоем, площадь поверхности увеличилась, расстояние между ними уменьшилось, образованы галтели. Что считать теперь их паразитной индуктивностью и ёмкостью, и какова ценность исходных значений?

"Оказывает ли влияние положение компонента по отношению к внешним элементам конструкции? Да, конечно, только в модели это опять не учитывается."

Да, не учитывается. Оцените характерные величины паразитных связей и сопоставьте их с величинами паразитных реактивностей в моделях компонентов...
Силовой СВЧ транзистор на радиаторе...


"Решать задачи на основе сосредоточенных элементов можно, но весьма сомнительно"
Это делают "не от хорошей жизни". Метод эквивалентных схем - это приемлемый компромисс для замены FEM-подхода.
Скорее, вынужденный компромисс. Но на сегодняшних персоналках FEM-моделирование вполне реально.

PS Раз заговорили о SWcad - можно ли запустить счет с фиксированным шагом интегрирования?
Не интересовался. Вот по этой [url=http://LTspice.linear.com/software/scad3.pdf ]ссылке[/url] можете глянуть user manual на сайте разработчика.

milstd:
1. "Выводы запаяны - покрыты припоем, площадь поверхности увеличилась, расстояние между ними уменьшилось, образованы галтели. Что считать теперь их паразитной индуктивностью и ёмкостью, и какова ценность исходных значений?"

Подобные технологические нюансы совершенно точно также нельзя учесть и в случае FEM-счета. Вообще, моделирование есть всего лишь Приближение с определенной точностью к реальности... и именно это приближение позволяют получить "исходные значения". Кстати, исходные значения получают при измерении характеристик компонента с учетом указанных нюансов.

2. "Силовой СВЧ транзистор на радиаторе..."

Это не аргумент. Паразитные емкости мощного СВЧ транзистора вполне учитываются...

58923ao
Подобные технологические нюансы совершенно точно также нельзя учесть и в случае FEM-счета. Вообще, моделирование есть всего лишь Приближение с определенной точностью к реальности... и именно это приближение позволяют получить "исходные значения". Кстати, исходные значения получают при измерении характеристик компонента с учетом указанных нюансов.
Представьте, измерения производились при одной длине и конфигурации выводов, а сборщик сделал другую, да ещё и на конт. площадки не типовой формы поставил... FEM-подход даст цифры, а что дадут полуаналитические/эмпирические соотношения? Направление... :)

2. "Силовой СВЧ транзистор на радиаторе..."
Это не аргумент. Паразитные емкости мощного СВЧ транзистора вполне учитываются...
Ещё какой... Вы интегрировать по кусочно-заданным поверхностям будете, или на удачу стандартной формулой под произвольную конфигурацию?

Можно еще посоветовать altium designer я в ней платки рисую а как эмулятор схем уж больно она замороченная предпочитаю пользовать microcap

Неплохой вариант ещё Cadance OrCAD/PSpice, но для радиолюбительской практики майкрокэп всё же лучше.

milstd:
"Представьте, измерения производились при одной длине и конфигурации выводов, а сборщик сделал другую,..."

Вы предполагаете, что сборщик-профессионал начнет подгибать и обрезать выводы smd?
Или, в приступе трудового энтузиазма, этим займется автомат для smd-монтажа?
В противном, не надо этим дома заниматься - отдайте работу профессионалам :-)

" да ещё и на конт. площадки не типовой формы поставил... FEM-подход даст цифры, а что дадут полуаналитические/эмпирические соотношения? Направление... :)"

полуаналитические/эмпирические соотношения? Это в SwCAD'e? Кстати, такое же направление даст и какой-нибудь MWO, например. В счете на вч/свч вы получите точность 5-10% В ЛЮБОМ СЛУЧАЕ - и это будут оч. хор. цифры - обычно все гораздо хуже ДАЖЕ с fem, и железки приходится настраивать на стенде/панораме/вектор-анализе....

"или на удачу стандартной формулой под произвольную конфигурацию"

Произвольные конфигурации не будут сильно различаться. А на дециметрах и выше ВООБЩЕ произвольных конфигураций много не встречается -все, как правило, весьма типовое..

readt
Есть необходимость в Микрокапе фулл. Спасибо!
чесс говоря заметил Ваше сообщение спустя 2,5 года...
Если нужно выложу на ifolder, рапиду или куда скажете, если еще актуально.

Shephard
если еще актуально.
Благодаря electronix.ru уже не актуально. Спасибо огромное за помощь!

58923ao
Вы предполагаете, что сборщик-профессионал начнет подгибать и обрезать выводы smd?
Или, в приступе трудового энтузиазма, этим займется автомат для smd-монтажа?
Я утверждаю, что паразитные емкости и индуктивности зависят от монтажа, причём величина влияния трудно прогнозируема аналитически.

" да ещё и на конт. площадки не типовой формы поставил... FEM-подход даст цифры, а что дадут полуаналитические/эмпирические соотношения? Направление... :)"

полуаналитические/эмпирические соотношения? Это в SwCAD'e?
Да ну, что вы, в SwCAD'e подобных средств нет вообще...

Кстати, такое же направление даст и какой-нибудь MWO, например. В счете на вч/свч вы получите точность 5-10% В ЛЮБОМ СЛУЧАЕ - и это будут оч. хор. цифры - обычно все гораздо хуже ДАЖЕ с fem, и железки приходится настраивать на стенде/панораме/вектор-анализе....
А теперь подумайте над тем, какой уход по параметрам вероятен в случае отстаиваемой вами методы "на глаз"... :)

"или на удачу стандартной формулой под произвольную конфигурацию"

Произвольные конфигурации не будут сильно различаться. А на дециметрах и выше ВООБЩЕ произвольных конфигураций много не встречается -все, как правило, весьма типовое..
Я же приводил пример: Силовой СВЧ транзистор на радиаторе...
Вы предполагаете, что на СВЧ все радиаторы типовые?

milstd:
"Я утверждаю, что паразитные емкости и индуктивности зависят от монтажа,.. "

Имеются в виду паразитные емкости и индуктивности компонентов или печатной платы?
Паразитные емкости и индуктивности компонента (транзистора, пассивного элемента и т.д.) вообще-то зависят только от устройства самого элемента, его корпуса... А паразитные связи между элементами при адекватном проектировании печатки вполне малы..

"А теперь подумайте над тем, какой уход по параметрам вероятен в случае отстаиваемой вами методы "на глаз"... "

Ну почему же "на глаз", все вполне вычисляемо...например, тем же SWCad'e :-)

Кто нибудь знает, где можно скачать базы отечественных компонентов для Proteus?

58923ao
"Я утверждаю, что паразитные емкости и индуктивности зависят от монтажа,.. "

Имеются в виду паразитные емкости и индуктивности компонентов или печатной платы?
Паразитные емкости и индуктивности компонента (транзистора, пассивного элемента и т.д.) вообще-то зависят только от устройства самого элемента, его корпуса... А паразитные связи между элементами при адекватном проектировании печатки вполне малы..
Вам ведь уже писали: Выводы запаяны - покрыты припоем, площадь поверхности увеличилась, расстояние между ними уменьшилось, образованы галтели. Что считать теперь их паразитной индуктивностью и ёмкостью, и какова ценность исходных значений? milstd

"А теперь подумайте над тем, какой уход по параметрам вероятен в случае отстаиваемой вами методы "на глаз"... "

Ну почему же "на глаз", все вполне вычисляемо...например, тем же SWCad'e :-)
SWCad, как он есть сейчас, - система на основе сосредоточенных моделей компонентов. Нелепо утверждать, что её модели способны отразить влияние конфигурации элементов на величины распределённых реактивностей.

Если проектируйте на СВЧ, то Miicrowave Office, один из лучших пакетов. Особенно, если фирменные библиотеки с даташитс достать.

Почему при изменении параметров какого-либо элемента(диода, например) записывать числа с плавающей точкой можно только так(0.00005)?
При записи такого вида(1е-05), программа выдает "Invalid number"!

И действительно, такой глюк в программе EWB 5.12 есть! Неужели от него нельзя избавиться? Чтобы выйти из положения, я создавал в каталоге /model библиотечный файл с описанием нужного элемента (например, ОУ), и там можно задавать параметры в экспоненциальном виде. А чтобы изменить параметр, приходится выходить из программы, менять параметр в файле текстовым ascii-редактором, и снова запускать EWB.

milstd:
"Выводы запаяны - покрыты припоем, площадь поверхности увеличилась, расстояние между ними уменьшилось, образованы галтели. Что считать теперь их паразитной индуктивностью и ёмкостью"

А вы пробовали оценить, НАСКОЛЬКО существенно изменится, к примеру, индуктивность вывода при образовании места пайки (галтели)? НАСКОЛЬКО существенно по сравнению с тем значением, которое является "исходным"? В разы? На порядки? Уверяю вас, нет! И поэтому ХАРАКТЕРНЫЕ значения ошибок моделирования НЕ ПРЕВЫСЯТ то, что обычно входит в пределы настройки устройства подстроечными решениями. Иначе говоря, можно проверить работу устройства на модели, оценить ожидаемые характеристики...

Кстати, fem-программы ТОЧНО ТАКЖЕ не учитывают произвол сборки, галтели и т.д. Для этого в том же MWO есть ВОЗМОЖНОСТЬ задать РАЗБРОС характеристик, и посмотреть, ЧТО ПРИ ЭТОМ получится.

"Нелепо утверждать, что её модели способны отразить влияние конфигурации элементов на величины распределённых реактивностей"

Если вы дадите корректные эквивалентные схемы (с оценками погрешности сборки), то все они вполне "способны отразить влияние " :-)

Безусловно, на свч подходящим является fem-моделирование. Вакуумные приборы ВООБЩЕ только так и считают. Но на "полупроводниковом" СВЧ используются именно СОСРЕДОТОЧЕННЫЕ модели компонентов - по-другому пока что не придумали (вы никогда не пробовали посчитать Настоящую физическую 2d/3d модель транзистора - да хотя бы диода! занятие для сильных духом.., или для специалистов по п/п приборам - почитайте, к примеру, Чахмахсазяна с соавторами). В противном случае, вы получите не промышленно применимую программу, а одну большую проблему...

58923ao
А вы пробовали оценить, НАСКОЛЬКО существенно изменится, к примеру, индуктивность вывода при образовании места пайки (галтели)? НАСКОЛЬКО существенно по сравнению с тем значением, которое является "исходным"? В разы? На порядки? Уверяю вас, нет!
В этом случае логичнее учитывать изменение межвыводной ёмкости. Хотя, в любом случае, не 10 процентов.

И поэтому ХАРАКТЕРНЫЕ значения ошибок моделирования НЕ ПРЕВЫСЯТ то, что обычно входит в пределы настройки устройства подстроечными решениями. Иначе говоря, можно проверить работу устройства на модели, оценить ожидаемые характеристики...
Это уже другой аспект. Мы же говорим о достоверности моделирования.

Кстати, fem-программы ТОЧНО ТАКЖЕ не учитывают произвол сборки, галтели и т.д. Для этого в том же MWO есть ВОЗМОЖНОСТЬ задать РАЗБРОС характеристик, и посмотреть, ЧТО ПРИ ЭТОМ получится.
FEM-подход позволяет определить какие-либо хар-ки для произвольно сложной конфигурации тел и их систем. Это то, ради чего он вообще разрабатывался (пришёл из механики строительных конструкций).

"Нелепо утверждать, что её модели способны отразить влияние конфигурации элементов на величины распределённых реактивностей"

Если вы дадите корректные эквивалентные схемы (с оценками погрешности сборки), то все они вполне "способны отразить влияние " :-)
Если... А где их взять то?! :) В этом и проблема.

Безусловно, на свч подходящим является fem-моделирование. Вакуумные приборы ВООБЩЕ только так и считают. Но на "полупроводниковом" СВЧ используются именно СОСРЕДОТОЧЕННЫЕ модели компонентов - по-другому пока что не придумали (вы никогда не пробовали посчитать Настоящую физическую 2d/3d модель транзистора - да хотя бы диода! занятие для сильных духом.., или для специалистов по п/п приборам - почитайте, к примеру, Чахмахсазяна с соавторами). В противном случае, вы получите не промышленно применимую программу, а одну большую проблему...
Ну!.. Это другой и гораздо более глубокий уровень моделирования. Не для рядовой инженерной практики.

Кому интересно, например: здесь