Очередная моя разработка - простая и недорогая приставка к вольтметру, которая позволяет измерять начальный ток стока полевого транзистора с p-n-переходом на затворе и его напряжение отсечки. Используя лишь эту приставку в комплекте с каким-нибудь вольтметром, можно, например, отобрать транзисторы с наилучшими характеристиками или подобрать пару одинаковых по параметрам транзисторов. Приставка позволяет также приблизительно определить крутизну полевого транзистора в предполагаемой рабочей точке, а студентам и начинающим радиолюбителям - исследовать полевой транзистор чтобы лучше понять его принцип работы. Итак, собственно, вот она:



А вот её описание:

Приставка к вольтметру для измерения параметров полевых транзисторов

Может оказаться, что прямое измерение статических параметров полевого транзистора особого практического смысла не имеет, поскольку эти параметры не описывают с достаточной точностью передаточную характеристику транзистора:

http://sezador.radioscanner.ru/pages/articles/sources/realjfet.htm

Уже давно подбираю пары полевых транзисторов по "виртуальным" начальному току стока и напряжению отсечки как в статье. А если посмотреть доступность (точнее - недоступность) и цену на пары идентичных полевых транзисторов в одном корпусе, то...

подбираю пары полевых транзисторов по "виртуальным" начальному току стока и напряжению отсечки
Если транзисторы взяты из одной партии, можно не подбирать. Недавно взял MMFJ310 четыре штуки из одной ленты, установил в усилитель для широкополосной ФА (см. в ветке "Ферритовая антенна"). При идентичных истоковых резисторах токи в плечах различаются не более чем на 1%. Хотя у всех четырех транзисторов напряжение отсечки оказалось сдвинутым в меньшую сторону (ближе к -2V), но в пределах допустимого разброса.

Proffessor:
Если транзисторы взяты из одной партии, можно не подбирать.

Ну не всем так везёт...

Proffessor:
При идентичных истоковых резисторах токи в плечах различаются не более чем на 1%. Хотя у всех четырех транзисторов напряжение отсечки оказалось сдвинутым в меньшую сторону...

Один и тот же ток стока можно получить при отличающихся очень сильно значениях начального тока стока и напряжения отсечки. Например, при большом напряжении отсечки и малом начальном токе стока и наоборот, при большом начальном токе стока и малом напряжении отсечки. Понятно, что крутизна таких транзисторов при одном и том же токе стока при этом будет сильно отличаться...

Я хотел обратить внимание вдумчивых специалистов на тот факт, что прямое измерение фактических значений начального тока стока и напряжения отсечки полевых транзисторов с p-n-переходом на затворе практически бессмысленно. В статье подробно разобрано почему. И предложен другой способ измерения параметров полевых транзисторов, позволяющий без особого труда подбирать транзисторы по идентичности передаточной характеристики в рабочей точке. В конце статьи приведена таблица, подтверждающая эффективность этого нового способа.

Закачал вот J-FET-калькулятор (в zip-архиве см. файл в формате Excel-таблицы). При помощи "активно" обсуждаемой приставки к вольтметру для измерения параметров полевых транзисторов для двух произвольных значений тока стока определяем соответствующие им напряжения "затвор-исток" (с учетом знака, см. пример в первой строке) и вводим эти четыре значения в таблицу как в примере. Справа отобразятся вычисленные "виртуальные" значения начального ток стока и напряжения отсечки полевого транзистора, которые более точно описывают передаточную характеристику полевого транзистора в рабочей точке, расположенной между выбранными для измерения. Таким образом можно из дешевых полевых транзисторов отобрать очень хорошо подобранные по идентичности передаточной характеристики пары. Подробнее см. в статье...