у меня в более ранних версиях доработок я к эмиттерному ООС 12 Ом поставил 1...4,7 нФ прямо у эмиттера блокировку. Она на 10700 даст рост усиления. Но позже при эксплуатации я не выявил необходимость в этом приросте усиления и убрал в пользу качества. Надо также понимать, что в модификации прирост усиления был достигнут на 6 дБ в ФСС10700 и в УПЧ после ФСС на 1..2 дБ. Поэтому до ФСС не стоит гнать за усилением.

Поставил VT302 КТ326Б с усилением 140 - ничего не изменилось.

Хайо
я к эмиттерному ООС 12 Ом...
А что дают эти 12 Ом. Номинал настолько мизерный, что я его везде игнорирую.

culibin
Поставил VT302 КТ326Б с усилением 140 - ничего не изменилось.

Я тоже пока ничего не заметил.

vatsur
Хайо
я к эмиттерному ООС 12 Ом...
А что дают эти 12 Ом. Номинал настолько мизерный, что я его везде игнорирую.
Сейчас Хайо обидится, насчёт его объяснения в этом топике влияния последовательного Rэ в части увеличения линейности каскадов....

WaveListener
Я видел это. Он в частности рекомендовал 47 Ом в эмиттер транзистора АРУ по этим же причинам. Но номинал слишком мал, велико ли его влияние?

Но номинал слишком мал, велико ли его влияние?
А что дают эти 12 Ом. Номинал настолько мизерный, что я его везде игнорирую.

Велико. Если его зашунтировать конденсатором 10н или закоротить усиление процентов на 25 возрастает. Проверено.

в части ОБ разные транзисторы разницу мало дают - там идёт передача тока 1-1\бета и поэтому там бета 40 нормально. В ОЭ бета сыграет на 465 кГц

резистор 12 Ом как раз заметно всё меняет.
При токе 2 мА транзистор ОЭ имеет эмиттерный импедас 26мВ\2мА=13 Ом и резистор 12 Ом снизит усиление на 6дБ на 465 кГц, на 10700 меньше, так как бета на 10700 уже заметно меньше. При этом увеличивается допустимый входной сигнал до гдето 40мВ размаха вместо 20 мВ с искажениями менее -40дБ по модуляции

Хайо писал - При токе 2 мА транзистор ОЭ имеет эмиттерный импедас 26мВ\2мА=13 Ом

можно с этого места подробнее? Это я про эмиттерный импедас.
С низкими частотами все проще.

culibin
просто представьте себе идеальный транзитсор, у которого от эмиттера есть резитсор к GND. Этот резистор зависит от тока эмиттера Re=26mV / Ie и у каждого транзистора есть диапазон по Ie котором это довольно точно сработает, обычно от несколько мкА до 10...30 мА для маломощных современных транзисторов.
Чиайте про АРУ в материале. Через эту зависимость и АРУ сработает в ОКЕАНах.

Если у транзитосра граничная частота несколько 100 МГц, то при 465 кГц это тоже так сработает. Но на 10 МГц это может быть уже немного хуже и имеется ещё "частотозависимый" резистор. ПОэтому при 10700 Вы мерили не 6дБ прирост при прямой блокировки а только 2...3 дБ.

Хайо
Re=26mV / Ie - более-менее понятно. это все примерно.

culibin
и к нему добавлено 12 Ом, получается итого 25 Ом действует в эмиттерной цепи при 2 мА. Поэтому допускается сигнал до 40мВ без проблем.

А когда АРУ действует, ток станет меньше и внешние 12 Ом роли уже не сыграют. Тогдо допускается только 20 мВ примерно для малых искажений. Это главный недостаток этого принципа АРУ.

На новой плате для 209ого АРУ сделана по-другому и в любом режиме допускаются большие сигналы.

Эффект от 12 Ом в цепях эмиттеров существенный, даже на слух приём стал чище. Усиления конечно не хватает, ещё бы чуток. И, кстати усиление УПЧ Селены-215 на ПКФ немного выше, а вот 214 не хватает, видимо затухание в ПКФ меньше, чем в ФСС.

vatsur
с промежуточным транзистором между VT10-VT15 у VT10 растёт входной импеданс и можно не ФСС465 уменьшить конденсатор до 4,7нФ.

Но в целом 214 и прочие не дотянут по усилению на приём от телескопа и я их сделал для приёма от больших антенн или от активной антенны.

Дотянуть усиление удастся с модулем смесителя К174ПС1.

В моих доработках я сделал всегда ставку на высокое качество приёма (линейнось).

Да в 215ом на ПКФ затухание малое. Но побочное подавление очень плохое. В целом плохое решение, да ещё тяжело переделать в качественное.

Хайо
В схеме "3 часть OKEAH 214 УВЧ и УПЧ" в эмиттере VT15 вместо 12 Ом перемычка 0R0. Можно в этом каскаде не устанавливать это сопротивление, если использовать кт3127 или кт326? Или лучше установить?

vatsur
этот резистор был установлен по ходу базовой доработки. А с промежуточным транзистором можно снизить входной импеданс VT15 и поставить 0R0.
Это позволит на VT10 делать АРУ глубже, так как на коллектрое VT10 уже при малых сигналах получаем полный размах к демодуляторам.

Ключевой момент - VT301 , который позволит более экстремальные режимы в VT10 и VT15.

Хайо
... На плате имеется только место для SMD-транзистора в корпусе SOT-23, как КТ368-А9, КТ3168... ("3 часть OKEAH 214 УВЧ и УПЧ")

Стал обычный кт368 со стороны деталей. Селена:



В Океан 214 вообще шикарно, даже отверстия под него были:

vatsur
удачно получилось.
При следущем вскрытии проверю свои версии на такую возможность. Она более РЕТРО, чем SMD.

дроссель 1,5 мГн надо проверить в даташите на частоту собственного резонанса.

дроссель 1,5 мГн надо проверить в даташите на частоту собственного резлнанса.
сложно это очень, почти невозможно, в смысле даташит.

Каким образом ее можно измерить и какая должна быть, или какая недопустима?

главное ,чтобы резонанс не был ровно на 465 или 10700, потому что это привело бы к существенным фазовым ошибкам. дроссель серии ЕС24 1мГн имеет 1,2 МГц собственный резонанс. Т.е. это довольно далеко от 465 и 10700. При этом емкость составляет 17пФ. Добавим ещё 10пФ от транзисторов и проводки, получаем собственный резонанс примерно 1МГц - тоже допустимо.

С установленным VT301 имеем 1,8 кОм от резистора и примерно 2 кОм от VT10 = примерно 1 кОм параллельно к дросселю. 1 кОм и 27пФ = частота среза 5,8Мгц.

Поэтому важно, поставить КТ368 и КТ3128 , чтобы меньше емкости было и дроссель 820 мкГн имеет 12пФ. тогда в сумме будет не более 18пФ в этом узле и частота среза 10 МГц.

Если VT301 нет ,в данном узле импеданс около 200 Ом (изза ООС в VT15) и частота среза составляет более 20 МГц.

Поэтому важно подобрать качественный дроссель с высокой частотой собственного резонанса. Идеально было бы 2...3 МГц при 1мГн.

Наверно надо этот узел ещё раз проработать для "бытовой" повторяемости. Отечественные дроссели ДМ или ДПМ 500мкГн в этом плане были бы идеальными, но их габариты не подходят.

Можно наверно из импортных пставить 33 мкГн к резистору 1,8 кОм. Это создаст высокий импеданс на 11 МГц с малой добротностью, и к этому дешёвый дроссель 1...2,2 мГн последовательно для 465 кГц.

После установки 12Ом в эмиттерах, каскод (VT302) стал работать без 47Ом в коллекторе, видимо усиление УПЧ было высоким от того и возбуд.

Как ещё увеличить усиление 10,7 УПЧ? Может каскод вместо R44 (коллектор VT15) поставить?

vatsur
теоретически да, но то некудышно, так как у коллектора VT15 надо получать большой размах. А если поставить транзистор, то на нём теряете напряжение. VT15 должен работать с большим Uce.

А разве не хватит на 10700 усиления? После переделки ФСС10700 уже плучаете +6дБ. От того, что токи транзисторов увеличили и потом поставили эмиттерные резисторы мы по усилению не меняли баланс. Т.е. при модернизации 214ого получаем +6dB на 10700. В готово насроенном приёмнике вроде хватит усиления на УКВ. Проблему имеем на АМ, если хотим приём на телескоп с ОКЕАН-214 (и прочих).

Хайо, были рекомендации по использованию КТ3128А с разным усилением.
Перемерал 2 десятка транзисторов - усиление от 40 до 55. Измерал при токе базы 0,1 мА.

Посмотрел даташит на транзистор - усиление измеряется при 5 вольтах и 3 мА тока коллектора.
В этом режиме усиление существенно больше, почти в 2 раза.
Получается что коэффициент усиления вполне нормальный. Или зря надеюсь?

culibin
в этом и суть, что бета значительно зависит от тока и при 3...5 мА имеет максимум, потом опять падает. Поэтому в доработках меняется режим транзисторов чуть не доходя до максимума.

Хайо, не в разных ли режимах мы измеряем транзисторы?

culibin
Перемерал 2 десятка транзисторов - усиление от 40 до 55. Измерал при токе базы 0,1 мА.
У меня тоже 3128 с большим бета не попадались, а 3127 были и по 80.

Хайо
А разве не хватит на 10700 усиления? После переделки ФСС10700 уже плучаете +6дБ. #

Поборол! У меня в 214-ом L300 большой радиальный 1.5 мГн. Видимо у дросселей такого типа что то не так и они не подходят в этой схеме. Последовательно поставил ДМ-0.1 40мкГн все стало как надо.

vatsur
транзисторы при 2...3 мА показывают максимальное усиление. При действии АРУ ток снижается и бета падает и расёт внутренная эмиттерная ООС Re=26mV \ Ie

vatsur
этим дросселем Вы решили вопрос на 10700 , так как у большого радиального дросселя емкость обмотки шунтировала всё.
Но теперь Вы теряли усиление на 465. Я об этом ранее писал позавчера. Чтобы и на 465 было всё хорошо, надо теперь к 40мкГн//1,8кОм ещё добавить дроссель 820...1500 мкГн, хоть снова тот радиальный.

vatsur
как мерили бета? и как определили ток Ic при замере бета?

Хайо
Но теперь Вы теряли усиление на 465. Я об этом ранее писал позавчера. Чтобы и на 465 было всё хорошо, надо теперь к 40мкГн//1,8кОм ещё добавить дроссель 820...1500 мкГн, хоть снова тот радиальный.

Я так и сделал пока временно:
Я #
...Последовательно поставил ДМ-0.1 40мкГн...

как мерили бета?
Крутым прибором DT-838, для контроля ещё советским Ц4243 проверяю, почти всегда одинаково показывают оба прибора.