Конкурс
с какого перепуга сделали R1 = 75 Ом? Смотрим выше методику...

если первый транзистор должен выдать 15 мА (хотя для 2N2222 это без смысла) , то он на своей базе тянет образно 0,1...0,5 мА и не более. Следовательно, ток диодов делать 1 мА вполне достаточно.

с какого перепуга сделали R1 = 75 Ом? Смотрим выше методику...


Вообще я думал, что повышенный ток в VD1VD2 будет нивелировать температурную нестабильность тока базы VT1
Поставил резистор R1=10 кОм. Ток в базе VT2 теперь 20 мкА, ток в коллекторе VT2 стал 8 мА
Сейчас еще поколдую с R2

Конкурс
температурный коэффициент напряжения диода -2мВ/К мало зависит от тока диода , если он в раумных пределах выбран.

Вы не последовательно действуете. Нужно сначала "застолбить" ток коллектора VT2, который нужен для решения сновной задачи его работы со сигналами. Этот ток стабилизировать является целью, а остальное уже найдётся по фактическим значениям бета транзистооров, брать для расчёта минимальное гарантированное значение по даташиту, если хотите устроить массовое производство. А если уникат "для себя" стоит исходить с реального значения транзисторов в наличие и тем самым довести схему до минимального самопотребления тока.

Ток в базе VT2 теперь 20 мкА, ток в коллекторе VT2 стал 8 мА
бета отличное, 400...

А теперь по сути схемы.
Напряжение над R2 (около 0,6В) должно на 90...99% образоваться от тока VT2.

Вы не последовательно действуете
Я забыл, что собирался сегодня сделать всё по алгоритму)
Сейчас с резистором R2 величиной 0,7 Ома получился ток базы VT2 = 15 мА. Но ток коллектора VT2 стал 520 мА. Теперь надо подбирать R3?

Напряжение над R2 (около 0,6В) должно на 90...99% образоваться от тока VT2.
Соответственно, если ток коллектора VT2=100 мА, то сопротивление R2 должно быть 0,6В/0,1А=6 Ом?
А как тогда удержать ток базы VT2 с отличным от 0,7 Ома сопротивлением R2?

Что-то получилось. Сейчас схему набросаю

Я заметил, что чем ниже ток коллектора VT2, тем он более нечувствителен к изменениям тока базы

Вот что получилось в итоге. Но если снизить ток базы VT2 до 1 мА. то ток коллектора VT2 все равно будет в районе 100 мА. Получается, что бета меняется, а ток коллектора нет?
Какой ток базы в итоге рекомендуемый с учетом требований хорошей термостабильности?


Увеличить

Конкурс
Сначала делайте схему без R3. Этот резистор на данном этапе Вам "пудрит мозги" и приведёт к неверным выводам.

При каком питании хотите установить какой ток в VT2?
Судя по Вашим результатам бет у обеих транзисторов в огромном запасе, что существенно упростит методику.

Ещё: Транзитсор 2N2222 для аналоговых схем не работает нормально при токах более 100 мА. Он в пределах 5...50 мА даёт лучшие результаты. Установить на нём 500 мА можно, но это для чего? Ставьте задачу ближе к разумному.

Какой ток базы в итоге рекомендуемый с учетом требований хорошей термостабильности?
Вы не поняли методику.
R2 подбирается под запланированный ток коллектора VT2 с учётом, что на нём будет напряжение около 0,6В. Если не ставить убогие по бета транзисторы (а у Вас бета огромные), то ток базы для VT2 сам устанавливается нужным из-за действия отрицательной обратной связи в схеме.

Сначала делайте схему без R3

Там ток у VT2 сразу пол ампера
Вот я дополнил схему еще парой измерений:


Увеличить

Если не ставить убогие по бета транзисторы (а у Вас бета огромные)
Я правильно понимаю, что у VT1 бета должен быть значительно больше, чем у VT2?
Так же мной было замечено повышение напряжения Uкэ VT2 при нагреве феном/паяльником. Но ток базы и коллектора не менялись

Я переработал всю информацию и попробовал вывеси методику в формулах. Посмотрите пожалуйста


Увеличить

Там ток у VT2 сразу пол ампера
если ток зависит от R3то в схеме недочёт. УБЕРИТЕ R3 пока Вы не разобрались с остальным. Схема должна работать без R3.


Так же мной было замечено повышение напряжения Uкэ VT2 при нагреве феном/паяльником. Но ток базы и коллектора не менялись
вообще это и предназначение была схемы. Но если Вы поставили R3 и ещё с лишне большим сопроитвлением, то можете вообще убрать все транзисторы и ток не будет меняться)))

Посмотрите пожалуйста
формула про R3 не имеет смысла. Вы хоть сможете рассказать, зачем Вам R3 нужен?

формула про R1 не правильная, где в ней напряжение на диодах?

формула про R2 - почему там минус?

и почему в формулах нет бета?

ПРЕДЛАГАЮ:
сначала сформулируйте , что эта схема должна делать. Мне кажется, все Ваши вопросы и лишние движения вытекают из отсутствия задачи.

Я переработал всю информацию
???
У Вас ток R1 0,4 мА, а через диоды в 10 раз меньше. Так не должно быть, ток делителя д.б. на порядок больше тока базы.
Вам бы определиться с нужным током и исходя из этого считать, расчет для 10мА и 0,5А будет существенно разный. Как уже ранее упоминалось, Ur2 д.б. ~0,6 В, а не 0,3. И минимальные бетта транзисторов приведите, из справочника.
Тут счета на 5 минут, и всё будет работать, а мы уже вторую страницу валандаемся. При этом полная теория на все случаи жизни займет несколько страниц текста.

если ток зависит от R3то в схеме недочёт. УБЕРИТЕ R3 пока Вы не разобрались с остальным. Схема должна работать без R3.

Попробую завтра

формула про R3 не имеет смысла. Вы хоть сможете рассказать, зачем Вам R3 нужен?

Для того, чтобы ограничивать ток через коллектор VT2 и не превысить предельный?

формула про R1 не правильная, где в ней напряжение на диодах?

Так это же для расчета токоограничивающего резистора

формула про R2 - почему там минус?

потому что таким образом я могу рассчитать, какое напряжение упадет на R2

и почему в формулах нет бета?

Потому что это параметр нельзя знать заранее. Он то 100, то 200, то 50 в разных режимах от партии к партии

сначала сформулируйте , что эта схема должна делать. Мне кажется, все Ваши вопросы и лишние движения вытекают из отсутствия задачи.


Цель это выставить ток базы и ток коллектора для СВЧ транзистора. Там в даташитах обычно четко указано, какое напряжение Uкэ должно быть при каком токе базы. Эти значнеия надо обеспечить вне зависимости от температуры

У Вас ток R1 0,4 мА, а через диоды в 10 раз меньше. Так не должно быть, ток делителя д.б. на порядок больше тока базы.

А диоды будут работать при токе меньше 500 мкА?

Ur2 д.б. ~0,6 В, а не 0,3

0,3 получилось из-за того, что на диодах падает суммарно 1,03 вольта. А на транзисторе 0,67. Вот одно из другого вычесть и получится тогда ~0,3. Может это особенность диодов?

И минимальные бетта транзисторов приведите, из справочника.
KSP2907A = 50
KSP2222A = 35

Тут счета на 5 минут, и всё будет работать, а мы уже вторую страницу валандаемся. При этом полная теория на все случаи жизни займет несколько страниц текста.

Хотелось бы вывести формулы для того чтоб через год вернуться к этой задаче и все за минуту посчитать

Вот собрал схему без R3:


Увеличить

Вот собрал схему без R3:
С рождением детёнка! )))
а теперь снова пишите формулы... и проверьте, насколько бета (минимальный и реальный) повлияет на результат.

ставьте у коллектора VT2 к массе 100 мкФ, которые позже будут в УМВЧ в блокировке и проверьте на НЧ-самовозбуждение до несколько 100 кГц. Если оно есть, ставить у коллектора VT1 к массе тоже конденсатор, чтобы в этом узле инертность была в перевесе.

а теперь снова пишите формулы... и проверьте, насколько бета (минимальный и реальный) повлияет на результат.

На этой схеме бета для VT1 = 133, а для VT2=250

минимальная бета:
KSP2907A = 50
KSP2222A = 35

Тогда IбVT2 был бы = 150 мкА, а IкVT2 = 5,25 мА

а теперь снова пишите формулы...
А что дают эти расчеты с бета, которые такие непостоянные?
Тут я не знаю, какие написать, кроме как для тока черед диоды

сначала делаете расчёт с фактическим бета как измерили, а потом ставьте даташит-минимум и посмотрите, насколько это повлияет.

Также ищите в даташитах диодов у SIEMENS / PHILIPS примеры, где в ВАХ-диаграмме ток указан логарифмом и делайте вывод.

сначала делаете расчёт с фактическим бета как измерили, а потом ставьте даташит-минимум и посмотрите, насколько это повлияет.

Падение на реисторе R2:
с фактическим бета VT1 (133): = 0,0004*5=2мВ
с бета из даташита (50): = 750 мкВ

И что дают эти вычисления?

делайте вывод.

Даже не знаю, в какую сторону думать

это про то, что напряжение на R2 на 99% образуется от тока коллектора VT2, если брать транзитсор не совсем убогий. Даже при бета 20...30 это всё хорошо работает и это вполне частое значение для мощных ВЧ-транзитсоров....смотрим в самом начале мой пост.

это про то, что напряжение на R2 на 99% образуется от тока коллектора VT2

Понял. А как теперь быть с R3?
Да и как вообще составить универсальны расчет под транзисторы с неизвестными бета?

Конкурс
как теперь быть с R3?
20 Ом, на нем упадет 2 В, на Т2 останется 2,5.

20 Ом, на нем упадет 2 В, на Т2 останется 2,5.
А можно быть уверенным, что VT2 откроется до нужной степени от 0,4 мА в базе?

И как рассчитать R2, не зная истинного бета? Не прибегая к экспериментальным замерам каждого отдельного транзистора

Расчет выполняется для минимального бетта. Если ток делителя на порядок больше тока базы, и там расчет правильный.
Напряжения на диодах можно посмотреть в даташите, там есть графики.
Ток Т1 в бетта второго транзистора раз меньше.
При бОльших беттах все будет работать чуть точнее, только и всего.